东芝新随机存储器技术打破SRAM功率瓶颈

　　东芝宣布它已经开发出一款自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的样品，并声称该产品首次打破了静态随机存取存储器(SRAM)的功率要求。

　　STT-MRAM技术是存储厂商近几年的热门研究课题，通过将电子自旋的角动量传递给存储媒介的方式来工作。控制电子的自旋成为存储数据的有效方式。 电子向左或向右自旋分别代表0或1，STT-RAM是非易失性存储技术。

　　东芝将它在这个领域的创新称作“垂直磁化”，并在一份简要的声明中称，那项技术可以读取与磁层垂直的磁化强度。这个过程可以通过一个较低的能量级别反向实现，让它可以在较低的电流的情况下编程数据以及制造出更小的晶体管。

　　你会问，到底有多小呢?东芝称，低于30纳米，它补充说它的新产品可以保证无电流通过，在双向操作和待机状态下将泄露电流降至0，而且无需任何电源管理。 东芝还说，STT-MRAM的速度非常快，耗电量比SRAM少90%。

　　与以前一样，东芝没有透露STT-MRAM何时才会成为正式的产品，但是值得一提的是，电子自旋在最新声明中出现的次数比以前更多了，IBM也在投资研发这项技术。

　　虽然固态硬盘越来越流行，但这也许会让“电子自旋”也火一阵子。

转载：感谢您对网站平台的认可，以及对我们原创作品以及文章的青睐，非常欢迎各位朋友分享到个人站长或者朋友圈，但转载请说明文章出处。