英特尔风云

　　初生与重生

　　1968年是世界历史上空前动荡的一年，但25年后《福布斯》杂志一位专栏作家却这样写到：这一年只发生了两件大事，其中之一就是英特尔创立。是的，就在这一年的7月18日，有3个年轻人(被称为半导体“摇篮”的仙童半导体公司的负责人罗伯特·诺伊斯(Robert Noyce)、实验室总监戈登·摩尔(Gordon Moore)和副总监安迪·格鲁夫 )仅用5分钟时间，通过1个电话，获得250万美金，成立了一家公司，它就是英特尔。成立之初的英特尔仅有30名员工，原始投资也只不过250万美元。1969年9月，它推出了第一款金属氧化半导体芯片1101，结果在与主流产品的竞争中败下阵来。1970年10月，英特尔推出第三个产品，1103动态随机存取存储器(DRAM)，两年之后，1103成了当时世界上销量最大的半导体存储器，英特尔提出著名的“英特尔公司说到做到”(Intel delivers)口号。1971年，英特尔完成IPO，这也是公司第一年赢利——105万美元。

　　无论是天生的领导者诺伊斯，还是技术奇才摩尔;无论是“偏执狂”格鲁夫，有教授风范的贝瑞特，还是极具市场敏感的现任CEO欧德宁，似乎英特尔的每一位掌舵人都有着迥异的独特个性，却也极其一致地让逆水行舟的公司一直傲立潮头。也许你不曾想到，当时强大的英特尔也曾深陷死亡之谷。“我们已经迷失了方向!”时任CEO格鲁夫这样描述决定未来命运的变革前夜。它的危机是从日本厂商大举进攻开始的，1984年的秋天，一切都变了。尽管技术上英特尔并不落后，但作为“第二供应商”的日本厂商并没有因为得到英特尔的技术授权就放弃了进攻，而是利用日本财团的支持和倾销手段将英特尔逼向了绝境。

　　第一桶金

　　1969年3月，英特尔推出3101半导体内存和MOS芯片1101。它们在技术上算是奇迹，市场上却收效甚微。1970年10月，英特尔推出1103动态随机存取存储器(DRAM)，许多公司很感兴趣，但是投产有难度，这个问题3年后才得到解决。而这3年，英特尔大约亏损200万美元，几乎耗尽募集的所有资金。4月，日本计算机制造商巴西科姆(Bucicom)公司(已不存在)希望英特尔为其新产品开发特定的处理器。英特尔年轻的工程师泰德·霍夫没有采用传统的设计方式，而是将内存和计算单元集成在一块芯片上。这一异想天开的想法实现起来十分困难，导致交货期限一拖再拖，最后勉强完成时还存在严重缺陷。巴西科姆公司十分恼火，差点终止合作。但正是这次合作，诞生了微处理器的鼻祖Intel 4004。

　　英特尔在不断发展壮大，但是也跌跌撞撞，时常处于业绩不稳，甚至倒闭的威胁中。1974年，诺伊斯失落地对摩尔说：“我决定把公司卖掉或与其他公司合并。”摩尔不忍心自己的心血就此被毁。1975年，他接任诺伊斯的CEO职位，扛起经营的职责。回忆起当时的经历，被称为“斗士勇者”的安迪·格鲁夫心有余悸地耸了耸肩：“噢，上帝!”也许是早年那段经历太过艰难，英特尔今后不论如何辉煌，血液中始终流淌着一种强烈的危机感。英特尔渠道和软件事业部副总裁、中国产品开发事业部总经理王文汉博士回忆道，即使在1993年取得巨大胜利的时候，每次格鲁夫在会上也总说“现在英特尔的形势岌岌可危”，并且做一示意图，告诫所有人，英特尔这一城堡在受到哪些攻击。

　　英特尔的技术发展史往往从大名鼎鼎的4004处理器提起。但在创业初期，英特尔的主要开发方向其实是半导体存储器。采用半导体内存之前，计算机安装的是磁芯内存，这种存储文件的制造工艺费时费力，产品体积庞大，存取速度也很慢。研制新内存成为当时业界的迫切要求。

　　英特尔抓住了取代磁芯内存的机遇。1969年，当英特尔决定向内存技术发起冲击时，已经有6家美国公司也在为此厉兵秣马。这7家公司共同参与了同一个项目的竞标。当时，半导体技术已经发展到可以在硅片上安装更多晶体管，带来低成本和高性能，但制造内存芯片的方案还在探索之中。英特尔面前有硅栅MOS技术、多芯片内存模块和肖特基双极技术三条技术路径，英特尔选择了同时尝试这三条路线，最后再选定能量产的制造工艺。

　　双极技术首见战果。当年英特尔推出第一个商品3101双极随机存取存储器(RAM)，抢在竞争对手的前面，这也为日后的发展迈出了第一步。另一个小组研究的硅栅MOS技术也同年推出了实用化成果1101静态存储器，英特尔成功进入内存半导体市场。数年之内，又推出两个新产品：可擦写编程只读存储器(EPROM)和静态内存(SRAM)。上世纪70年代末，与英特尔竞争的企业，如尤利森公司、先进内存系统公司等高科技企业都难以望其项背，英特尔拥有内存技术与硅栅技术两大法宝，成为内存技术和市场绝对的代名词。
(本文不涉密)
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