OCZ Vertex 3.20采用20nm闪存 I/O性能下降?

　　但同时我们也在OCZ的规格表中发现，Vertex 3.20的I/O性能与上代产品相比有所下降。4KB 的随机读写性能从60k/85k降为了35k/60k IOPS。该款新产品采用的依然是LSI SandForce SF-2200主控，基于MCL NAND芯片。有趣的是，在随机读写性能方面（550MB/S和520MB/S）的指标却保持不变。虽然上一代宣传具有60K的随机读取和85K的随机写入IOPS，但实际上，除了综合性的基准测试之外用户很难有所区分。至于出现I/O性能差异的原因还未可知。

　　OCZ此次推出20nm产品可以说也是应对市场的需求，毕竟许多其他的厂商已经推出了基于20nm的闪存芯片，例如Intel335系列和三星的840驱动器。

　　即将发布的Vertex 3.20将会提供120GB、240GB和480GB三种容量规格，通过容量配置我们不难猜想OCZ可能已将未来重点转移到了更大容量的固态硬盘产品。

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