3D V-NAND闪存尚做不到更高的性能

　　众多固态硬盘厂商都在想尽方法来做更廉价的SSD，最为主流的思想就是在单位尺寸上做更多的闪存芯片或者采用MLC甚至TLC。 花样最多的应该是三星，推出多款TLC SSD，在8月初又发布了第一款3D V-NAND闪存产品，这样做也是要在有限的空间里实现更大的容量。但是做更大容量的同时，闪存还能否保证高性能和高可靠性?

　　

 

　　8月7日三星宣称其基于3D V-NAND 闪存芯片的SSD新品容量960GB，可以在连续写和随机写速度上都超过SM843T SSD 20%，在能耗上也较之降低了40%。

　　下面是El Reg测得的SM843T SSD的性能(采用24纳米Toggle-mode MLC NAND)

　　4K随机读最高98000 IOPS

　　4K随机写最高15000IOPS

　　连续读最高500MB/s

　　连续写最高370MB/s

　　另一方面，960GB版本3D V-NAND SSD带宽可以达到600MB/s(连续读)和444MB/s(连续读)。我们不知道这款3D闪存芯片的SSD在随机读和写的IOPS怎么样(三星没有公布相关信息)，但是El Reg推测这两个性能方面新版SSD拼不过SM843T(要不三星肯定会拿出来说)。

　　另外El Reg还发出了一个疑问，3D V-NAND芯片的尺寸到底是多少，24纳米、21纳米还是更小?

　　虽然新款SSD在读写的带宽上比SM843T高，但是另一方面使用三星21纳米NAND芯片的200GB400GB 以及800GB版本的希捷1200SSD都可以做到800MB/s随机读和640MB/s随机写的带宽。

　　现在看来3D V-NAND并不能提供较传统SSD更高的带宽和IOPS，它还是一项正在发展的技术。那么下一步3D V-NAND将会如何发展呢?EI Reg认为3D V-NAND会推动多层闪存芯片的技术发展，将来会超过24层的闪存芯片被压至一个单元中，NAND芯片的体积也会因此缩小。

　　由于3D V-NAND比2D NAND更耐擦写，那么在大容量的闪存产品中3D V-NAND是否更倾向于使用TLC而不是MLC，产品接口方面是否更倾向PCIe现在都还是未知数。

(本文不涉密)
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